電源部にはトランスメーカーと共同開発したトーラストロイダルトランスを搭載しています。
このトランスでは通常四角形であるトランスのコア(鉄芯)断面を楕円形にすることで線の巻き張力を高めており、従来に比べて振動を1/4以下に低減しています。これにより小型で音質的にも優れた電源部を実現してます。
また、小信号を扱うプリ部(電圧増幅段)と大信号を扱うパワー部(電力増幅段)に独立して電力を供給するS.T.D.電源を採用しています。この方式では整流回路の段階で分離・独立させることで大出力時もパワー部の電圧変動がプリ部に及びにくくしており、低インピーダンススピーカーに対しても高いドライブ能力を得ています。

パワー部のドライブ段とファイナル段の両方にMOS-FETを採用しています。
MOS-FETは入力インピーダンスが高いことにより前段と電気的に分離でき、ノイズ電流が流れ込みにくいという特長を持っています。また、音質的にも耳につきやすい奇数次歪が少なく、滑らかな音質を得ています。また、パワー段ではクロスオーバー歪の少ないシングル・プッシュプル構成で搭載しており、バイアス回路も熱変動に対する安定度が高いMOS-FETならではの特長を生かし、電流値を事実上固定したフィックスド・オプティカル・バイアス回路を採用しています。これにより出力段の動作を安定させています。

パワートランジスタは強固に形成されたシャーシに直接マウントされており、振動を効果的に抑えるとともに大きな容積を占める放熱用ヒートシンクを排除しています。

シャーシにはモノボックス構造を採用しており、十分な厚みと強度を持ったアルミとスチールを組み合わせることで高い剛性を獲得しています。TA-F5000ではアルミとスチールという固有振動数の異なる素材を組み合わせることで互いに共振を打ち消す制振効果も得ています。
フロントパネルには厚さ10mミリにおよぶアルミ材を使用しています。

脚部には外部からの振動に対して強いピークを持たない偏心インシュレーターを採用しています。

トーン及びバランス回路にはマスターボリュームと同じグレードのセンターディフィートボリュームを採用しています。
このボリュームはツマミをセンター位置にするとトーンコントロール回路及びバランス回路とも信号経路から切り離される構造となっており、信号が余分な回路を通らず、スイッチ自体も排除できるため、より純度の高い音質が得られます。

抵抗やコンデンサーなどのパーツ類には音質的に吟味した高品質なものを厳選使用しています。

入力切換えにはノイズカットインプットセレクターを採用しています。
この方式では選択されていないソース機器の入力をリレーを用いて切り離す構造を採用しており、ソース機器間のクロストークがありません。

フォノイコライザーアンプにはCR-NF型を採用しています。また、MCカートリッジ用にヘッドアンプも搭載しています。

プリアウト出力端子を搭載しています。